电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max
时钟频率 167MHz max
存取时间 167 µs
内存容量 72000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 LBGA-165
高度 0.89 mm
封装 LBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C1512V18-167BZXC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | CY7C1512V18 72 Mb 4 Mx18 167 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-165 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C1512V18-167BZXC 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: 165-LBGA 72000000B 1.8V 167µs | 当前型号 | CY7C1512V18 72 Mb 4 Mx18 167 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-165 | 当前型号 | |
型号: CY7C1512V18-200BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA 72000000B 1.8V 200us | 类似代替 | CY7C1512V18 72 Mb 4 Mx18 200 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-165 | CY7C1512V18-167BZXC和CY7C1512V18-200BZXC的区别 | |
型号: CY7C1512V18-167BZXI 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA 72000000B 1.8V 167us | 类似代替 | 72 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1512V18-167BZXC和CY7C1512V18-167BZXI的区别 |