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CY7C1425JV18-250BZI

CY7C1425JV18-250BZI

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1425JV18-250BZI


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 4M x 9-Bit 0.45ns 165-Pin FBGA


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 4M x 9-bit 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1425JV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1425JV18-250BZI引脚图与封装图
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CY7C1425JV18-250BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存