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CY7C1263V18-400BZXC

CY7C1263V18-400BZXC

数据手册.pdf

36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 8 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1263V18-400BZXC


贸泽:
SRAM 36M QDRII+


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1263V18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1263V18-400BZXC引脚图与封装图
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CY7C1263V18-400BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency 搜索库存