电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 12.0 GHz
存取时间 12.0 ns
内存容量 1000000 B
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
封装 BSOJ-44
封装 BSOJ-44
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C1021B-12VC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C1021B-12VC 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: SOJ 1000000B 5V 12ns | 当前型号 | 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM | 当前型号 | |
型号: CY7C1021BN-12VXC 品牌: 赛普拉斯 封装: SOJ 1000000B 5V 12ns | 完全替代 | 1兆位( 64K ×16 )静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM | CY7C1021B-12VC和CY7C1021BN-12VXC的区别 | |
型号: CY7C1021D-10VXI 品牌: 赛普拉斯 封装: SOJ 125000B 5V 44Pin | 功能相似 | CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C1021D-10VXI 芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 44SOJ | CY7C1021B-12VC和CY7C1021D-10VXI的区别 | |
型号: AS7C1026B-12JCN 品牌: 联盟记忆 封装: SOJ 5V | 功能相似 | AS7C1026B 系列 1 Mb 64 K x 16 5 V 12 ns CMOS 静态 RAM - SOJ-44 | CY7C1021B-12VC和AS7C1026B-12JCN的区别 |