CPC5602CTR
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Clare
电子元器件分类
N沟道枯竭FET模式 •低电阻为10欧姆•高输入阻抗•低输入和输出泄漏•支持组件LITELINK数据访问安排（DAA）•常开开关•电信•恒流源
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| 耗散功率PdPower Dissipation| Description & Applications| N Channel Depletion Mode FET • High input impedance • Low input and output leakage • Support Component for LITELINK Data Access Arrangement DAA • Normally-on switch • Telecom • Constant Current Source 描述与应用| N沟道枯竭FET模式 •低电阻为10欧姆 •高输入阻抗 •低输入和输出泄漏 •支持组件LITELINK 数据访问安排（DAA） •常开开关 •电信 •恒流源
MASTER:
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.005A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Electro Sonic:
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.005A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R