CDZT2R8.2B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
CDZT2R8.2B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 8.20 V
容差 ±2 %
额定功率 100 mW
耗散功率 100 mW
稳压值 8.2 V
额定功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-923
外形尺寸
封装 SOD-923
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CDZT2R8.2B引脚图与封装图
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在线购买CDZT2R8.2B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CDZT2R8.2B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | VMN 8.19V 0.1W1/10W | 搜索库存 |
替代型号CDZT2R8.2B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CDZT2R8.2B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMN2/SOD-923 8.2V | 当前型号 | VMN 8.19V 0.1W1/10W | 当前型号 |
| 型号： CDZVT2R8.2B 品牌： 罗姆半导体 封装： 2-SMD | 类似代替 | 单管二极管 齐纳, 8.2 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C | CDZT2R8.2B和CDZVT2R8.2B的区别 |