CL05C2R4BB5NNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
电子元器件分类
CL05C2R4BB5NNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 2.4 pF
容差 ±0.1 pF
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1005
封装 0402
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.5 mm
高度 0.5 mm
封装公制 1005
封装 0402
厚度 0.5 mm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CL05C2R4BB5NNNC引脚图与封装图
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在线购买CL05C2R4BB5NNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL05C2R4BB5NNNC | Samsung 三星 | 0402 C0G 2R4B2.4pF 50V ±0.1pf 厚度0.5mm | 搜索库存 |
替代型号CL05C2R4BB5NNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL05C2R4BB5NNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0402 2.4pF ±0.1pF 50V C0G/NP0 | 当前型号 | 0402 C0G 2R4B2.4pF 50V ±0.1pf 厚度0.5mm | 当前型号 |
| 型号： CBR04C249B5GAC 品牌： 基美 封装： 2.4pF 50V | 类似代替 | KEMET CBR04C249B5GAC 射频电容, 2.4 pF, 50 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C 新 | CL05C2R4BB5NNNC和CBR04C249B5GAC的区别 |
| 型号： GRM1555C1H2R4BA01D 品牌： 村田 封装： 0402 2.4pF 50V 0.1pF | 功能相似 | Murata GRM 0402 C0G 电介质GRM 系列可在多层结构中提供大容量和小尺寸 由于在外部电极镀锌，具有出色的可焊接性 高可靠性且无极性 ### 陶瓷表面安装 0402### 0402 系列 | CL05C2R4BB5NNNC和GRM1555C1H2R4BA01D的区别 |
| 型号： GJM1555C1H2R4BB01D 品牌： 村田 封装： 0402 2.4pF 50V 0.1pF | 功能相似 | Murata GJM 高 Q 0402 系列GJM 系列温度补偿类型在 VHF、UHF 和微波频带达到高 Q 和低 ESR。 GJM 系列增强高频率特性并有助于降低功耗 特别适用于高频率电路的温度补偿，例如电容波动显著影响设备操作特性的谐振电路、调谐电路和阻抗匹配电路 额定电压为 6.3 至 50V 直流 电容为 0.1pF 至 47pF ### 陶瓷表面安装 0402### 0402 系列 | CL05C2R4BB5NNNC和GJM1555C1H2R4BB01D的区别 |