CL21B104KBFNNNF
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21B104KBFNNNF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 0.1 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21B104KBFNNNF引脚图与封装图 
CL21B104KBFNNNF引脚图
CL21B104KBFNNNF封装图
CL21B104KBFNNNF封装焊盘图
在线购买CL21B104KBFNNNF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21B104KBFNNNF | Samsung 三星 | 0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% 容差 多层 陶瓷 贴片电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21B104KBFNNNF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21B104KBFNNNF 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 100nF 50V ±10% | 当前型号 | 0805 0.1 uF 50 V X7R ±10% 容差 多层 陶瓷 贴片电容 | 当前型号 |
| 型号： CL21B104KBFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 100nF 50V ±10% | 完全替代 | 0805 0.1 uF ±10 % 容差 50 V X7R 多层陶瓷电容 | CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBFNNNE的区别 |
| 型号： CL21B104KBANNNC 品牌： 三星 封装： 0805 100nF 50V ±10% | 完全替代 | 0805 0.1 uF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBANNNC的区别 |
| 型号： CL21B104KBCNNNC 品牌： 三星 封装： 0805 100nF 50V 10per | 类似代替 | Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B104KBFNNNF和CL21B104KBCNNNC的区别 |