
额定电压DC 50.0 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 0.01 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.65 mm
封装公制 2012
封装 0805
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±15 %
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 15000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99

CL21B103KBANNNL引脚图

CL21B103KBANNNL封装图

CL21B103KBANNNL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CL21B103KBANNNL | Samsung 三星 | CL21 系列 0805 10 nF 50 V ±10% X7R 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CL21B103KBANNNL 品牌: Samsung 三星 封装: 0805 10nF 50V ±10% | 当前型号 | CL21 系列 0805 10 nF 50 V ±10% X7R 多层陶瓷电容 | 当前型号 | |
型号: CL21B103KBANNNC 品牌: 三星 封装: 0805 10nF 50V 10per | 完全替代 | Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B103KBANNNL和CL21B103KBANNNC的区别 | |
型号: CL21B103KBCNNNC 品牌: 三星 封装: 0805 10nF 50V ±10% | 完全替代 | 10 nf 50 V 10 % 容差 0805 多层陶瓷电容 | CL21B103KBANNNL和CL21B103KBCNNNC的区别 | |
型号: CL21B103KBANNND 品牌: 三星 封装: 0805 10nF 50V ±10% | 完全替代 | Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B103KBANNNL和CL21B103KBANNND的区别 |