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CL10B223KB8NNND

CL10B223KB8NNND

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CL 系列 0603 22 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容

0.022 µF ±10% 50V 陶瓷器 X7R 0603(1608 公制)


得捷:
CAP CER 0.022UF 50V X7R 0603


艾睿:
Cap Ceramic 0.022uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 125°C T/R


Verical:
Cap Ceramic 0.022uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 125C T/R


儒卓力:
**KC 22nF 0603 10% 50V X7R **


CL10B223KB8NNND中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 22 nF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

精度 ±10 %

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL10B223KB8NNND引脚图与封装图
CL10B223KB8NNND引脚图

CL10B223KB8NNND引脚图

CL10B223KB8NNND封装图

CL10B223KB8NNND封装图

CL10B223KB8NNND封装焊盘图

CL10B223KB8NNND封装焊盘图

在线购买CL10B223KB8NNND
型号 制造商 描述 购买
CL10B223KB8NNND Samsung 三星 CL 系列 0603 22 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL10B223KB8NNND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL10B223KB8NNND

品牌: Samsung 三星

封装: 0603 22nF 50V ±10%

当前型号

CL 系列 0603 22 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容

当前型号

型号: CL10B223KB8NNNC

品牌: 三星

封装: 0603 22nF 50V 10per

完全替代

Samsung 0603 X7R/Y5V MLCC 系列卷高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合)。 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 陶瓷表面安装 0603

CL10B223KB8NNND和CL10B223KB8NNNC的区别

型号: 06035C223K4Z2A

品牌: 艾维克斯

封装: 0603 22nF 50V 10per

类似代替

0603 22 nF 50 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

CL10B223KB8NNND和06035C223K4Z2A的区别

型号: 06035C223KAT2A

品牌: 艾维克斯

封装: 0603 22nF 50V 10per

功能相似

AVX  06035C223KAT2A  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0.022 µF, ± 10%, X7R, 50 V, 0603 [1608 公制]

CL10B223KB8NNND和06035C223KAT2A的区别