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CL10B272KB8NNND

CL10B272KB8NNND

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CL 系列 0603 2.7 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容

2700pF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R 0603 1608 Metric


得捷:
CAP CER 2700PF 50V X7R 0603


艾睿:
Cap Ceramic 0.0027uF 50V X7R 10% Pad SMD 0603 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.0027uF 50V X7R 10% SMD 0603 125°C Paper T/R


富昌:
CL 系列 0603 2.7 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容


CL10B272KB8NNND中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.0027 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 10000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL10B272KB8NNND引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CL10B272KB8NNND Samsung 三星 CL 系列 0603 2.7 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL10B272KB8NNND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL10B272KB8NNND

品牌: Samsung 三星

封装: 0603 2.7nF 50V ±10%

当前型号

CL 系列 0603 2.7 nF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容

当前型号

型号: GRM188R71H272KA01D

品牌: 村田

封装: 0603 2.7nF 50V 10per

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CL10B272KB8NNND和GRM188R71H272KA01D的区别

型号: CL10B272KB8NNNC

品牌: 三星

封装: 0603 2.7nF 50V ±10%

类似代替

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CL10B272KB8NNND和CL10B272KB8NNNC的区别

型号: 06035C272K4T2A

品牌: 艾维克斯

封装: 0603 2.7nF 50V ±10%

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0603 2.7nF ±10% 50V X7R

CL10B272KB8NNND和06035C272K4T2A的区别