C2012C0G1H100D
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012C0G1H100D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 10 pF
容差 ±0.5 pF
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.6 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012C0G1H100D引脚图与封装图 
C2012C0G1H100D引脚图
C2012C0G1H100D封装图
C2012C0G1H100D封装焊盘图
在线购买C2012C0G1H100D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012C0G1H100D | TDK 东电化 | CAP CER 10pF 50V C0G 0805 | 搜索库存 |
替代型号C2012C0G1H100D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012C0G1H100D 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 10pF 50V C0G/NP0 | 当前型号 | CAP CER 10pF 50V C0G 0805 | 当前型号 |
| 型号： CL21C100DBANNNC 品牌： 三星 封装： 0805 10pF 50V ±0.5pF | 类似代替 | CL21系列 0805 10 pF 50 V ±0.5 pF C0G SMD 多层陶瓷电容 | C2012C0G1H100D和CL21C100DBANNNC的区别 |
| 型号： C0805C100D5GACTU 品牌： 基美 封装： 0805 10pF 50V | 功能相似 | KEMET C0805C100D5GACTU MLCC CAPACITOR, 10PF, 50V, C0G, 0.5PF, 0805 新 | C2012C0G1H100D和C0805C100D5GACTU的区别 |