C2012X7R1C474M
数据手册.pdfTDK(东电化)
被动器件
C2012X7R1C474M中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 16.0 V
电容 470 nF
容差 ±20 %
电介质特性 X7R
额定电压 16 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
介质材料 Ceramic Multilayer
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012X7R1C474M引脚图与封装图 
C2012X7R1C474M引脚图
C2012X7R1C474M封装图
C2012X7R1C474M封装焊盘图
在线购买C2012X7R1C474M
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012X7R1C474M | TDK 东电化 | CAP CER 0.47uF 16V 20% X7R 0805 | 搜索库存 |
替代型号C2012X7R1C474M
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012X7R1C474M 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 470nF ±20% 16V X7R | 当前型号 | CAP CER 0.47uF 16V 20% X7R 0805 | 当前型号 |
| 型号： C2012X7R1E474K125AA 品牌： 东电化 封装： 2012 470nF 25V 10per | 类似代替 | TDK C2012X7R1E474K125AA 多层陶瓷电容器, 表面贴装, C系列, 0.47 µF, ± 10%, X7R, 25 V, 0805 [2012 公制] | C2012X7R1C474M和C2012X7R1E474K125AA的区别 |
| 型号： C2012X7R1C474K 品牌： 东电化 封装： 2012 470nF 16V 10per | 类似代替 | Cap Ceramic 0.47uF 16V X7R 10% SMD 0805 125℃ | C2012X7R1C474M和C2012X7R1C474K的区别 |
| 型号： C2012X7R1H474K125AB 品牌： 东电化 封装： 2012 470nF 50V 10per | 类似代替 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容，采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR，低自加热且耐高纹波 商用级，适用于一般应用，包括 一般电子设备；移动通信设备；电源电路；办公自动化设备；电视、LED 显示屏；服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | C2012X7R1C474M和C2012X7R1H474K125AB的区别 |