额定电压DC 50.0 V
电容 2.70 nF
容差 ±5 %
电介质特性 C0G/NP0
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 0805
封装 0805
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
C2012C0G1H272J/1.25引脚图
C2012C0G1H272J/1.25封装图
C2012C0G1H272J/1.25封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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C2012C0G1H272J/1.25 | TDK 东电化 | CAP CER 2700pF 50V 5% NPO 0805 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: C2012C0G1H272J/1.25 品牌: TDK 东电化 封装: 0805 2.7nF 50V ±5% | 当前型号 | CAP CER 2700pF 50V 5% NPO 0805 | 当前型号 | |
型号: C2012C0G2E272J125AA 品牌: 东电化 封装: 0805 2.7nF 250V 5per | 类似代替 | C 系列 0805 2.7 nF 25 V ±5 % 容差 C0G 表面贴装 多层陶瓷电容 | C2012C0G1H272J/1.25和C2012C0G2E272J125AA的区别 | |
型号: C2012C0G1H272J060AA 品牌: 东电化 封装: 2012 2.7nF 50V 5per | 类似代替 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | C2012C0G1H272J/1.25和C2012C0G1H272J060AA的区别 | |
型号: C2012C0G2A272J125AA 品牌: 东电化 封装: 0805 2.7nF 100V 5per | 功能相似 | TDK C 型 0805 系列 C0G、X6S、X7R、X7S、X7T、X8R、Y5V 电介质高电容,采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术 单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性 低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 商用级,适用于一般应用,包括 一般电子设备;移动通信设备;电源电路;办公自动化设备;电视、LED 显示屏;服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | C2012C0G1H272J/1.25和C2012C0G2A272J125AA的区别 |