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CM200TU-12F

CM200TU-12F

数据手册.pdf
Powerex 分立器件
CM200TU-12F中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 600 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 54nF @10V

额定功率Max 590 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 17

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CM200TU-12F引脚图与封装图
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在线购买CM200TU-12F
型号 制造商 描述 购买
CM200TU-12F Powerex POWEREX CM200TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 600V, 600W, 600V, Module 搜索库存
替代型号CM200TU-12F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CM200TU-12F

品牌: Powerex

封装: Module

当前型号

POWEREX CM200TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 200A, 600V, 600W, 600V, Module

当前型号

型号: MWI200-06A8

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E3 600V 225A 675000mW

功能相似

IGBT 模块,IXYS### IGBT 分立元件和模块,IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

CM200TU-12F和MWI200-06A8的区别

型号: MWI150-06A8

品牌: IXYS Semiconductor

封装: E3 600V 170A 515000mW

功能相似

分立半导体模块 150 Amps 600V

CM200TU-12F和MWI150-06A8的区别