CPV363M4K

Vishay Semiconductor(威世) 分立器件

VISHAY CPV363M4K IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 11A, 600V, 36W, 600V, Module

IGBT Module Three Phase Inverter 600V 11A 36W Through Hole IMS-2

得捷:
IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2

Newark:
# VISHAY CPV363M4K IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 11 A, 600 V, 36 W, 600 V, Module

CPV363M4K中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 0.74nF @30V

额定功率Max 36 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 SIP-19

外形尺寸

封装 SIP-19

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CPV363M4K引脚图与封装图

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