
额定电压DC 50 V
电容 3.9 pF
容差 ±0.1 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 1608
封装 0603
长度 1.60 mm
宽度 0.80 mm
高度 0.8 mm
封装公制 1608
封装 0603
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 1
制造应用 RF,微波,高频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CBR06C399B5GAC | KEMET Corporation 基美 | 射频电容, C0G / NP0, 3.9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制] | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CBR06C399B5GAC 品牌: KEMET Corporation 基美 封装: 0603 3.9pF ±0.1pF 50V | 当前型号 | 射频电容, C0G / NP0, 3.9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制] | 当前型号 | |
型号: C1608C0G1H3R9BT 品牌: 东电化 封装: | 类似代替 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 2.56% +Tol, 2.56% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000039uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | CBR06C399B5GAC和C1608C0G1H3R9BT的区别 |