
电容 8.2 pF
容差 ±0.1 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 1005
封装 0402
长度 1.00 mm
宽度 0.5 mm
高度 0.5 mm
封装公制 1005
封装 0402
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 RF,微波,高频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

CBR04C829B5GAC引脚图

CBR04C829B5GAC封装图

CBR04C829B5GAC封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CBR04C829B5GAC | KEMET Corporation 基美 | 射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制] | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CBR04C829B5GAC 品牌: KEMET Corporation 基美 封装: 0402 | 当前型号 | 射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制] | 当前型号 | |
型号: CBR04C829B1GAC 品牌: 基美 封装: 8.2pF 100V | 类似代替 | KEMET CBR04C829B1GAC CAPACITOR, RF, C0G, 8.2PF, 100V, 0402 新 | CBR04C829B5GAC和CBR04C829B1GAC的区别 | |
型号: ECD-G0E8R2B 品牌: 松下 封装: | 功能相似 | CAP CER 8.2pF 25V NPO 0402 | CBR04C829B5GAC和ECD-G0E8R2B的区别 |