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CL21B104MBCNNNC

CL21B104MBCNNNC

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

0805 50 V x7r 20 % 0.1 µF 陶瓷电容

0.1 µF ±20% 50V 陶瓷器 X7R 0805(2012 公制)


得捷:
CAP CER 0.1UF 50V X7R 0805


立创商城:
100nF ±20% 50V


e络盟:
多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0.1 µF, 50 V, 0805 [2012 公制], ± 20%, X7R, CL Series


艾睿:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 20% Pad SMD 0805 125°C T/R


富昌:
0805 50 V x7r 20 % 0.1 µF 陶瓷电容


Verical:
Cap Ceramic 0.1uF 50V X7R 20% Pad SMD 0805 125C T/R


CL21B104MBCNNNC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 0.1 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

精度 ±20 %

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.85 mm

封装公制 2012

封装 0805

厚度 0.85 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL21B104MBCNNNC引脚图与封装图
CL21B104MBCNNNC引脚图

CL21B104MBCNNNC引脚图

CL21B104MBCNNNC封装图

CL21B104MBCNNNC封装图

CL21B104MBCNNNC封装焊盘图

CL21B104MBCNNNC封装焊盘图

在线购买CL21B104MBCNNNC
型号 制造商 描述 购买
CL21B104MBCNNNC Samsung 三星 0805 50 V x7r 20 % 0.1 µF 陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL21B104MBCNNNC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL21B104MBCNNNC

品牌: Samsung 三星

封装: 0805 100nF 50V ±20%

当前型号

0805 50 V x7r 20 % 0.1 µF 陶瓷电容

当前型号

型号: CL21B104KBCNNNC

品牌: 三星

封装: 0805 100nF 50V 10per

类似代替

Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CL21B104MBCNNNC和CL21B104KBCNNNC的区别

型号: CL21B104JBCNNNC

品牌: 三星

封装: 0805 100nF 50V 5per

类似代替

0.1uF 5% 50V X7R SMD 0805 多层陶瓷电容

CL21B104MBCNNNC和CL21B104JBCNNNC的区别

型号: CL21B104KBCNNND

品牌: 三星

封装: 0805 100nF 50V ±10%

类似代替

Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CL21B104MBCNNNC和CL21B104KBCNNND的区别