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CL21C680GBANNNC

CL21C680GBANNNC

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

CL 系列 0805 68 pF 50 V ±2 % C0G 表面贴装 多层陶瓷电容

68pF ±2% 50V Ceramic Capacitor C0G, NP0


得捷:
CAP CER 68PF 50V C0G/NP0 0805


艾睿:
Cap Ceramic 68pF 50V C0G 2% SMD 0805 125


儒卓力:
**KC 68pF 0805 2% 50V NP0 **


CL21C680GBANNNC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 68 pF

容差 ±2 %

电介质特性 C0G/NP0

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.65 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL21C680GBANNNC引脚图与封装图
CL21C680GBANNNC引脚图

CL21C680GBANNNC引脚图

CL21C680GBANNNC封装图

CL21C680GBANNNC封装图

CL21C680GBANNNC封装焊盘图

CL21C680GBANNNC封装焊盘图

在线购买CL21C680GBANNNC
型号 制造商 描述 购买
CL21C680GBANNNC Samsung 三星 CL 系列 0805 68 pF 50 V ±2 % C0G 表面贴装 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL21C680GBANNNC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL21C680GBANNNC

品牌: Samsung 三星

封装: 0805 68pF 50V ±2%

当前型号

CL 系列 0805 68 pF 50 V ±2 % C0G 表面贴装 多层陶瓷电容

当前型号

型号: CL21C680JBANNNC

品牌: 三星

封装: 0805 68pF 50V ±5%

类似代替

Samsung 0805 C0G/X5R MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CL21C680GBANNNC和CL21C680JBANNNC的区别

型号: CC0402JRNPO9BN680

品牌: 国巨

封装: 0402 68pF 50V 5per

功能相似

0402 68 pF 50 V ±5 % 容差 NP0 表面贴装 陶瓷 电容

CL21C680GBANNNC和CC0402JRNPO9BN680的区别

型号: CL21C680JCANNNC

品牌: 三星

封装: 0805 68pF 100V ±5%

功能相似

Samsung 0805 C0G/X5R MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

CL21C680GBANNNC和CL21C680JCANNNC的区别