CL21A475KQQNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21A475KQQNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.30 V
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X5R
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 6.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 X5R/-55℃~+85℃
工作温度 -55℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21A475KQQNNNE引脚图与封装图 
CL21A475KQQNNNE引脚图
CL21A475KQQNNNE封装图
CL21A475KQQNNNE封装焊盘图
在线购买CL21A475KQQNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21A475KQQNNNE | Samsung 三星 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 搜索库存 |
替代型号CL21A475KQQNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21A475KQQNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4.7µF ±10% 6.3V X5R | 当前型号 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 当前型号 |
| 型号： CL10A475KQ8NNND 品牌： 三星 封装： 0603 4.7uF 6.3V 10per | 完全替代 | Samsung 0603 C0G/X5R MLCC 系列卷装高度可靠的容差，可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围：从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括：HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机； 调谐器（产品代码 C 适合）。 对于特殊用途，如军事、医药、航空、汽车设备应，应遵守特殊规格 ### 陶瓷表面安装 0603 | CL21A475KQQNNNE和CL10A475KQ8NNND的区别 |
| 型号： CL10A475KQ8NNNL 品牌： 三星 封装： 0603 4.7µF ±10% 6.3V X5R | 完全替代 | CL10 系列 0603 6.3 V 4.7 uF ±10% X5R 多层陶瓷 贴片电容 | CL21A475KQQNNNE和CL10A475KQ8NNNL的区别 |
| 型号： CL21A475KQFNNNF 品牌： 三星 封装： 0805 4.7µF 6.3V ±10% | 完全替代 | CL 系列 0805 4.7 uF 6.3 V ±10 % X5R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL21A475KQQNNNE和CL21A475KQFNNNF的区别 |