CL10B273KB8NNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL10B273KB8NNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.027 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
精度 ±10 %
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1608
封装 0603
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.8 mm
封装公制 1608
封装 0603
厚度 0.8 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL10B273KB8NNNC引脚图与封装图 
CL10B273KB8NNNC引脚图
CL10B273KB8NNNC封装图
CL10B273KB8NNNC封装焊盘图
在线购买CL10B273KB8NNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL10B273KB8NNNC | Samsung 三星 | CL10 系列 0603 0.027 uF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL10B273KB8NNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL10B273KB8NNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0603 27nF 50V ±10% | 当前型号 | CL10 系列 0603 0.027 uF 50 V ±10% 容差 X7R 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL21B273KBANNNC 品牌： 三星 封装： 0805 27nF 50V ±10% | 完全替代 | CL21系列 0805 0.027 uF 50 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | CL10B273KB8NNNC和CL21B273KBANNNC的区别 |
| 型号： CL10B273KB8NNNL 品牌： 三星 封装： 0603 27nF 10per 50V X7R | 完全替代 | 0603 27nF ±10% 50V X7R | CL10B273KB8NNNC和CL10B273KB8NNNL的区别 |
| 型号： NMC0603X7R273K50TRPF 品牌： NIC 封装： 0603 27nF 10per | 类似代替 | Cap Ceramic 0.027uF 50V X7R 10% SMD 0603 125℃ T/R | CL10B273KB8NNNC和NMC0603X7R273K50TRPF的区别 |