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CL43B104KGINNNE

CL43B104KGINNNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1812 0.1 uF 500 V ±10% 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

0.1µF ±10% 500V Ceramic Capacitor X7R 1812 4532 Metric


得捷:
CAP CER 0.1UF 500V X7R 1812


艾睿:
Cap Ceramic 0.1uF 500V X7R 10% Pad SMD 1812 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.1uF 500V X7R 10% SMD 1812 125°C Embossed Plastic T/R


富昌:
1812 0.1 uF 500 V ±10% 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容


CL43B104KGINNNE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

电容 0.1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 500 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 4832

封装 1812

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 3.2 mm

高度 2 mm

封装公制 4832

封装 1812

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL43B104KGINNNE引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CL43B104KGINNNE Samsung 三星 1812 0.1 uF 500 V ±10% 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL43B104KGINNNE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL43B104KGINNNE

品牌: Samsung 三星

封装: 1812 100nF 500V ±10%

当前型号

1812 0.1 uF 500 V ±10% 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

当前型号

型号: 1812B104K501CT

品牌: 台湾华科

封装:

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