锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CL32B223KGFNNNE

CL32B223KGFNNNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列

1210 MLCC 系列

一般多层陶瓷片状器

高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片

宽电容范围

宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V

高度可靠的性能

高耐端接金属

应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机;

调谐器(产品代码 C 适合)

对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格


得捷:
CAP CER 0.022UF 500V X7R 1210


欧时:
Samsung Electro-Mechanics CL 系列 22nF 500V dc X7R电介质 表面安装器件 多层陶瓷电容器 MLCC


艾睿:
Cap Ceramic 0.022uF 500V X7R 10% SMD 1210 125


安富利:
Cap Ceramic 0.022uF 500V X7R 10% SMD 1210 125°C Embossed T/R


儒卓力:
**KC 22nF 1210 10% 500V X7R **


CL32B223KGFNNNE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

电容 22 nF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 500 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.25 mm

封装公制 3225

封装 1210

厚度 1.25 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 %

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL32B223KGFNNNE引脚图与封装图
CL32B223KGFNNNE引脚图

CL32B223KGFNNNE引脚图

CL32B223KGFNNNE封装图

CL32B223KGFNNNE封装图

CL32B223KGFNNNE封装焊盘图

CL32B223KGFNNNE封装焊盘图

在线购买CL32B223KGFNNNE
型号 制造商 描述 购买
CL32B223KGFNNNE Samsung 三星 Samsung 1210 MLCC 系列 一般多层陶瓷片状电容器 高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列 搜索库存
替代型号CL32B223KGFNNNE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL32B223KGFNNNE

品牌: Samsung 三星

封装: 1210 22nF 500V ±10%

当前型号

Samsung 1210 MLCC 系列一般多层陶瓷片状电容器高度可靠的容差,可在印刷电路板上高速自动放置芯片 宽电容范围 宽温度补偿和电压范围:从 C0G 至 Y5V 和从 6.3V 至 50V 高度可靠的性能 高耐端接金属 应用包括:HHP、DSC、DVC、LCD、电视、内存模块、PDA、游戏机; 调谐器(产品代码 C 适合) 对于特殊用途,如军事、医药、航空、汽车设备应,应遵守特殊规格 ### 1210 系列

当前型号

型号: CL32B223KGFNNWE

品牌: 三星

封装: 1210 22nF 500V ±10%

类似代替

1210 22nF ±10% 500V X7R

CL32B223KGFNNNE和CL32B223KGFNNWE的区别

型号: 1210B223K501CT

品牌: 台湾华科

封装: 22nF 500V ±10%

功能相似

WALSIN  1210B223K501CT  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0.022 µF, ± 10%, X7R, 500 V, 1210 [3225 公制]

CL32B223KGFNNNE和1210B223K501CT的区别

型号: CL32B223KHFNNNE

品牌: 三星

封装: 1210 22nF ±10% 630V X7R

功能相似

1210 22nF ±10% 630V X7R

CL32B223KGFNNNE和CL32B223KHFNNNE的区别