CL43B105KCJNNNF
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL43B105KCJNNNF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
电容 1 µF
容差 ±10 %
电介质特性 X7R
额定电压 100 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 4832
封装 1812
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3.2 mm
高度 2.5 mm
封装公制 4832
封装 1812
厚度 2.5 mm
物理参数
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL43B105KCJNNNF引脚图与封装图 
CL43B105KCJNNNF引脚图
CL43B105KCJNNNF封装图
CL43B105KCJNNNF封装焊盘图
在线购买CL43B105KCJNNNF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL43B105KCJNNNF | Samsung 三星 | CL43 系列 1812 1 uF 100 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL43B105KCJNNNF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL43B105KCJNNNF 品牌： Samsung 三星 封装： 1812 1µF 100V ±10% | 当前型号 | CL43 系列 1812 1 uF 100 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： HMK432B7105KM-T 品牌： 太诱 封装： 1812 1µF 100V ±10% | 类似代替 | TAIYO YUDEN HMK432B7105KM-T 陶瓷电容, 1uF, 100V, X7R, 1812 | CL43B105KCJNNNF和HMK432B7105KM-T的区别 |
| 型号： ECJ-5YB2A105M 品牌： 松下 封装： 1812 1µF 100V ±20% | 功能相似 | CAP CER 1uF 100V 20% X7R 1812 | CL43B105KCJNNNF和ECJ-5YB2A105M的区别 |
| 型号： CM43X7R105K100AT 品牌： 京瓷 封装： | 功能相似 | 1812 1uF ±10% 100V X7R | CL43B105KCJNNNF和CM43X7R105K100AT的区别 |