CL31B334JBFNNNE

Samsung(三星) 被动器件

330 nf 50 V 5 % 容差 1206 多层陶瓷电容

贴片 1206 X7R 334J330nF 50V ±5% 厚度1.25mm

得捷:
CAP CER 0.33UF 50V X7R 1206

艾睿:
Cap Ceramic 0.33uF 50V X7R 5% SMD 1206 125

安富利:
Cap Ceramic 0.33uF 50V X7R 5% SMD 1206 125°C Embossed T/R

Verical:
Cap Ceramic 0.33uF 50V X7R 5% Pad SMD 1206 125C T/R

CL31B334JBFNNNE中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 330 nF

容差 ±5 %

电介质特性 X7R

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.25 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL31B334JBFNNNE引脚图与封装图

CL31B334JBFNNNE引脚图

CL31B334JBFNNNE封装图

CL31B334JBFNNNE封装焊盘图

在线购买CL31B334JBFNNNE

型号	制造商	描述	购买
CL31B334JBFNNNE	Samsung 三星	330 nf 50 V 5 % 容差 1206 多层陶瓷电容	搜索库存

替代型号CL31B334JBFNNNE

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CL31B334JBFNNNE 品牌： Samsung 三星封装： 1206 330nF 50V ±5%	当前型号	330 nf 50 V 5 % 容差 1206 多层陶瓷电容	当前型号
型号： CL31B334KBFNNNE 品牌：三星封装： 1206 330nF 50V ±10%	类似代替	CL31 系列 1206 0.33 uF 50 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容	CL31B334JBFNNNE和CL31B334KBFNNNE的区别
型号： ECJ-3VB1C334K 品牌：松下封装： 1206 330nF 16V ±10%	功能相似	0.33µF 16V Ceramic Capacitor X7R 1206 3216 Metric 0.126" L x 0.063" W 3.2mm x 1.6mm	CL31B334JBFNNNE和ECJ-3VB1C334K的区别
型号： B37872K0334K062 品牌：爱普科斯封装： 1206 330nF 25V ±10%	功能相似	CAP CER 0.33uF 25V 10% X7R 1206	CL31B334JBFNNNE和B37872K0334K062的区别