CL21C222GBFNNNE
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21C222GBFNNNE中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 0.0022 µF
容差 ±2 %
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21C222GBFNNNE引脚图与封装图 
CL21C222GBFNNNE引脚图
CL21C222GBFNNNE封装图
CL21C222GBFNNNE封装焊盘图
在线购买CL21C222GBFNNNE
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21C222GBFNNNE | Samsung 三星 | CL21 系列 0805 0.0022 uF 50 V 2 % C0G SMD 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
替代型号CL21C222GBFNNNE
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21C222GBFNNNE 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 2.2nF 50V ±2% | 当前型号 | CL21 系列 0805 0.0022 uF 50 V 2 % C0G SMD 多层陶瓷电容 | 当前型号 |
| 型号： CL21C222GBFNNNF 品牌： 三星 封装： 0805 2.2nF 50V ±2% | 类似代替 | Samsung 0805 MLCC seriesGeneral Multilayer Ceramic Chip CapacitorsHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层，应用包括移动电话、视频和调谐器设计，COG/NPO 是温度补偿的最常见配方，为 EIA I 类陶瓷材料，X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷，属于 EIA II 类材料，Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途，属于 EIA II 类材料；这些特征非常适合退耦应用。 | CL21C222GBFNNNE和CL21C222GBFNNNF的区别 |