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CL31B106KPHN3NE

CL31B106KPHN3NE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1206 10uF ±10% 10V X7R

10 µF ±10% 10V 陶瓷器 X7R 1206(3216 公制)


得捷:
CAP CER 10UF 10V X7R 1206


艾睿:
Cap Ceramic 10uF 10V X7R 10% Pad SMD 1206 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 10uF 10V X7R 10% SMD 1206 125°C Embossed T/R


CL31B106KPHN3NE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10 V

电容 10 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL31B106KPHN3NE引脚图与封装图
CL31B106KPHN3NE引脚图

CL31B106KPHN3NE引脚图

CL31B106KPHN3NE封装图

CL31B106KPHN3NE封装图

CL31B106KPHN3NE封装焊盘图

CL31B106KPHN3NE封装焊盘图

在线购买CL31B106KPHN3NE
型号 制造商 描述 购买
CL31B106KPHN3NE Samsung 三星 1206 10uF ±10% 10V X7R 搜索库存
替代型号CL31B106KPHN3NE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL31B106KPHN3NE

品牌: Samsung 三星

封装: 10uF 10V ±10%

当前型号

1206 10uF ±10% 10V X7R

当前型号

型号: CL31B106KAHNNNE

品牌: 三星

封装: 1206 10uF 25V 10per

功能相似

CL31 系列 1206 10 uF 25 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容

CL31B106KPHN3NE和CL31B106KAHNNNE的区别

型号: CL31B106KOHNNNE

品牌: 三星

封装: 1206 10uF 16V 10per

功能相似

CL31 系列 1206 10 uF 16 V 10 % X7R SMD 多层陶瓷电容

CL31B106KPHN3NE和CL31B106KOHNNNE的区别

型号: CL31B106KLHNNNE

品牌: 三星

封装: 1206 10µF 35V ±10%

功能相似

Samsung 1206 MLCC seriesHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 1206 系列C0G NP0 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料 X7R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料 Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。

CL31B106KPHN3NE和CL31B106KLHNNNE的区别