![CL31B475KAHNNWE](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_77/chanpintu/cl31b475kahnnwe-TnzvJpVr-8Zl6V64Xo.png)
电容 4.7 µF
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 25 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 3216
封装 1206
长度 3.2 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装公制 3216
封装 1206
厚度 1.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
![CL31B475KAHNNWE引脚图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_77/yinjiaotu/cl31b475kahnnwe-20200605-dqRYpPL4Z.png)
CL31B475KAHNNWE引脚图
![CL31B475KAHNNWE封装图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_77/fengzhuangtu/cl31b475kahnnwe-202006054w-nZ8xNErVZ.png)
CL31B475KAHNNWE封装图
![CL31B475KAHNNWE封装焊盘图](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_77/hanpantu/cl31b475kahnnwe-202006054w-eqzJQYlMq.png)
CL31B475KAHNNWE封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CL31B475KAHNNWE | Samsung 三星 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CL31B475KAHNNWE 品牌: Samsung 三星 封装: 1206 | 当前型号 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 当前型号 | |
型号: CL31B475KAHNNNE 品牌: 三星 封装: 1206 4.7uF 25V 10per | 完全替代 | 1206 4.7 µF 25 V X7R 10 % 容差 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNNNE的区别 | |
型号: CL31B475KAHNFNE 品牌: 三星 封装: 1206 4.7uF 25V ±10% | 完全替代 | MLCC-多层陶瓷电容器 | CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNFNE的区别 | |
型号: CL31B475KAHNNNF 品牌: 三星 封装: 1206 4.7uF 25V 10per | 完全替代 | Samsung 1206 MLCC seriesHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 1206 系列C0G NP0 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料 X7R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料 Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。 | CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNNNF的区别 |