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CL31B475KAHNNWE

CL31B475KAHNNWE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

MLCC-多层陶瓷电容器

MLCC-多层陶瓷器


立创商城:
4.7uF ±20% 25V


得捷:
CAP CER 4.7UF 25V X7R 1206


艾睿:
Cap Ceramic 4.7uF 25V X7R 10% Pad SMD 1206 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 4.7uF 25V X7R 10% SMD 1206 125°C Embossed Plastic T/R


CL31B475KAHNNWE中文资料参数规格
技术参数

电容 4.7 µF

容差 ±10 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

厚度 1.6 mm

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CL31B475KAHNNWE引脚图与封装图
CL31B475KAHNNWE引脚图

CL31B475KAHNNWE引脚图

CL31B475KAHNNWE封装图

CL31B475KAHNNWE封装图

CL31B475KAHNNWE封装焊盘图

CL31B475KAHNNWE封装焊盘图

在线购买CL31B475KAHNNWE
型号 制造商 描述 购买
CL31B475KAHNNWE Samsung 三星 MLCC-多层陶瓷电容器 搜索库存
替代型号CL31B475KAHNNWE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CL31B475KAHNNWE

品牌: Samsung 三星

封装: 1206

当前型号

MLCC-多层陶瓷电容器

当前型号

型号: CL31B475KAHNNNE

品牌: 三星

封装: 1206 4.7uF 25V 10per

完全替代

1206 4.7 µF 25 V X7R 10 % 容差 表面贴装 多层陶瓷电容

CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNNNE的区别

型号: CL31B475KAHNFNE

品牌: 三星

封装: 1206 4.7uF 25V ±10%

完全替代

MLCC-多层陶瓷电容器

CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNFNE的区别

型号: CL31B475KAHNNNF

品牌: 三星

封装: 1206 4.7uF 25V 10per

完全替代

Samsung 1206 MLCC seriesHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 1206 系列C0G NP0 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料 X7R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料 Y5V 配方为有限温度范围内的一般用途材料。这些特征使得 Y5V 非常适合去耦应用。

CL31B475KAHNNWE和CL31B475KAHNNNF的区别