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CBR04C120F1GAC

CBR04C120F1GAC

数据手册.pdf

射频电容, C0G / NP0, 12 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]

12 pF ±1% 100V 陶瓷器 C0G，NP0 0402（1005 公制）


立创商城:
12pF ±1% 100V


得捷:
CAP CER 12PF 100V C0G/NP0 0402


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Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100volts 12pF C0G 0402 1% Tol RF


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射频电容, C0G / NP0, 12 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]


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Cap Ceramic 12pF 100V C0G 1% Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R


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Cap Ceramic 12pF 100V C0G 1% Pad SMD 0402 125C Low ESR Medical T/R


CBR04C120F1GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 12 pF

容差 ±1 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CBR04C120F1GAC引脚图与封装图
CBR04C120F1GAC引脚图

CBR04C120F1GAC引脚图

CBR04C120F1GAC封装图

CBR04C120F1GAC封装图

CBR04C120F1GAC封装焊盘图

CBR04C120F1GAC封装焊盘图

在线购买CBR04C120F1GAC
型号 制造商 描述 购买
CBR04C120F1GAC KEMET Corporation 基美 射频电容, C0G / NP0, 12 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制] 搜索库存
替代型号CBR04C120F1GAC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CBR04C120F1GAC

品牌： KEMET Corporation 基美

封装： 0402 12pF ±1% 100V

当前型号

射频电容, C0G / NP0, 12 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]

当前型号

型号： CBR04C120F5GAC

品牌： 基美

封装： 12pF 50V

功能相似

KEMET  CBR04C120F5GAC  CAPACITOR, RF, C0G, 12PF, 50V, 0402 新

CBR04C120F1GAC和CBR04C120F5GAC的区别

型号： ECD-G0E120J

品牌： 松下

封装： 0402 12pF 25V ±5%

功能相似

多层陶瓷电容器（高Q电容） Multilayer Ceramic CapacitorsHigh-Q Capacitors

CBR04C120F1GAC和ECD-G0E120J的区别