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C1210W473KDRACTU

C1210W473KDRACTU

数据手册.pdf

电容, 多层陶瓷电容, X7R, 0.047UF, 1KV, 1210

ArcShield™系列高电压表面安装多层陶瓷片式器, X7R介质, 设计用于易受表面电弧放电的高电压应用. 表面电弧现象是由两个端接表面之间, 或陶瓷体内的一个表面与反内部电极结构之间的高电压梯度引起的. 出现可能性最高在应用电压达到或超过300V, 在高湿度环境下, 以及小芯片尺寸中小带宽分离 爬电距离. 这种现象既可能损坏周围的部件, 也可能损坏介质材料, 最终导致短路 灾难性故障模式. 该产片具有高可靠的贱金属介质系统, 结合独特的内部屏蔽电极结构, 可抑制电弧放电事件, 同时提高电容.

C1210W473KDRAC7800

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专利技术
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永久性内部电弧保护
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不需要保护表面涂层
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贱金属电极 BME 介质系统
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业界领先的CV值
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高频率具有优秀的性能
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低ESR和ESL
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非极化设备, 减少安装问题
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100%纯镀雾锡端接表面, 可提供良好的可焊性
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可选镀锡铅端接表面处理 最少5%铅
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工作温度范围为-55°C至+ +125°C
C1210W473KDRACTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1 kV

绝缘电阻 2.128 GΩ

电容 0.047 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 1000 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 2.5 mm

高度 2.1 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

介质材料 Ceramic

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Boardflex 敏感

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

C1210W473KDRACTU引脚图与封装图
C1210W473KDRACTU引脚图

C1210W473KDRACTU引脚图

C1210W473KDRACTU封装图

C1210W473KDRACTU封装图

C1210W473KDRACTU封装焊盘图

C1210W473KDRACTU封装焊盘图

在线购买C1210W473KDRACTU
型号 制造商 描述 购买
C1210W473KDRACTU KEMET Corporation 基美 电容, 多层陶瓷电容, X7R, 0.047UF, 1KV, 1210 搜索库存
替代型号C1210W473KDRACTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C1210W473KDRACTU

品牌: KEMET Corporation 基美

封装: 1210 47nF 1kV ±10%

当前型号

电容, 多层陶瓷电容, X7R, 0.047UF, 1KV, 1210

当前型号

型号: C1210V473KDRAC

品牌: 基美

封装:

完全替代

47nF 10% 1000V ArcShield Ceramic Chip Capacitor

C1210W473KDRACTU和C1210V473KDRAC的区别

型号: C1210C473KDRACTU

品牌: 基美

封装:

类似代替

多层陶瓷电容器, 表面贴装, 高电压, 47000 pF, 1 kV, 1210 [3225 公制], ± 10%, X7R, C系列KEMET

C1210W473KDRACTU和C1210C473KDRACTU的区别

型号: C1210V473KDRACTU

品牌: 基美

封装: 1210 47nF 1kV 10per

功能相似

KEMET  C1210V473KDRACTU  多层陶瓷电容器, 表面贴装, ArcShield™, ArcShield V系列, 0.047 µF, ± 10%, X7R, 1 kV, 1210 [3225 公制]

C1210W473KDRACTU和C1210V473KDRACTU的区别