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C0805C226M8PAC7800

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数据手册.pdf

C 系列 0805(2012 规格)0805(EIA 英制尺寸)、2012(公制尺寸代码)片式电容器 少杂散电容,可进行接近理论值电路设计 低残余电感和高频响应特性 温度特性 - 高介电常数 B ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。

C 系列 0805(2012 规格)

0805(EIA 英制尺寸)、2012(公制尺寸代码)片式器

少杂散电容,可进行接近理论值电路设计

低残余电感和高频响应特性

温度特性 - 高介电常数 B

### 0805 系列

镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。


得捷:
CAP CER 22UF 10V X5R 0805


立创商城:
22uF ±20% 10V


欧时:
### C 系列 0805(2012 规格)0805(EIA 英制尺寸)、2012(公制尺寸代码)片式电容器 少杂散电容,可进行接近理论值电路设计 低残余电感和高频响应特性 温度特性 - 高介电常数 B ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。


艾睿:
Cap Ceramic 22uF 10V X5R 20% Pad SMD 0805 85°C T/R


Allied Electronics:
0805 C 22uF Ceramic Multilayer Capacitor, 10 VDC, +85degC, X5R Dielec, +/-20%


C0805C226M8PAC7800中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10.0 V

电容 22 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

介质材料 Ceramic

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

C0805C226M8PAC7800引脚图与封装图
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C0805C226M8PAC7800 KEMET Corporation 基美 C 系列 0805(2012 规格) 0805(EIA 英制尺寸)、2012(公制尺寸代码)片式电容器 少杂散电容,可进行接近理论值电路设计 低残余电感和高频响应特性 温度特性 - 高介电常数 B ### 0805 系列 镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 搜索库存