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CBR04C829B1GAC

CBR04C829B1GAC

数据手册.pdf
KEMET Corporation(基美) 电子元器件分类

KEMET  CBR04C829B1GAC  CAPACITOR, RF, C0G, 8.2PF, 100V, 0402 新

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 8.2 pF, +/-0.1 pF, 100 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402


立创商城:
8.2pF ±0.1pF 100V


得捷:
CAP CER 8.2PF 100V C0G/NP0 0402


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 100volts 8.2pF C0G 0402 .1pF Tol RF


e络盟:
射频电容, 8.2 pF, 100 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 8.2pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C T/R


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Cap Ceramic 8.2pF 100V C0G 0.1pF SMD 0402 125°C Punched Paper T/R


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Newark:
# KEMET  CBR04C829B1GAC  Capacitor, RF, 8.2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C New


CBR04C829B1GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

电容 8.2 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

CBR04C829B1GAC引脚图与封装图
CBR04C829B1GAC引脚图

CBR04C829B1GAC引脚图

CBR04C829B1GAC封装图

CBR04C829B1GAC封装图

CBR04C829B1GAC封装焊盘图

CBR04C829B1GAC封装焊盘图

在线购买CBR04C829B1GAC
型号 制造商 描述 购买
CBR04C829B1GAC KEMET Corporation 基美 KEMET  CBR04C829B1GAC  CAPACITOR, RF, C0G, 8.2PF, 100V, 0402 新 搜索库存
替代型号CBR04C829B1GAC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CBR04C829B1GAC

品牌： KEMET Corporation 基美

封装： 8.2pF 100V

当前型号

KEMET  CBR04C829B1GAC  CAPACITOR, RF, C0G, 8.2PF, 100V, 0402 新

当前型号

型号： CBR04C829B5GAC

品牌： 基美

封装： 0402

类似代替

射频电容, C0G / NP0, 8.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

CBR04C829B1GAC和CBR04C829B5GAC的区别

型号： CBR04C829D1GAC

品牌： 基美

封装： 0402

类似代替

Cap Cer 8.2pF 100V C0G/NPO 0402

CBR04C829B1GAC和CBR04C829D1GAC的区别

型号： ECD-G0E8R2B

品牌： 松下

封装：

功能相似

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