CL21F105ZBFNNNF
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21F105ZBFNNNF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 1 µF
容差 +80/-20%
电介质特性 Y5V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
材质 Y5V/-30℃~+85℃
工作温度 -30℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 10000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
CL21F105ZBFNNNF引脚图与封装图 
CL21F105ZBFNNNF引脚图
CL21F105ZBFNNNF封装图
CL21F105ZBFNNNF封装焊盘图
在线购买CL21F105ZBFNNNF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21F105ZBFNNNF | Samsung 三星 | 0805 1uF -20%~80% 50V Y5V | 搜索库存 |
替代型号CL21F105ZBFNNNF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21F105ZBFNNNF 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 1µF 50V +80/ 20% | 当前型号 | 0805 1uF -20%~80% 50V Y5V | 当前型号 |
| 型号： CL21F105ZBFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 1uF 50V 80 20per | 完全替代 | CL21 系列 0805 1 uF 50 V -20 % +80 % Y5V SMD 多层陶瓷电容 | CL21F105ZBFNNNF和CL21F105ZBFNNNE的区别 |
| 型号： C2012Y5V1H105Z/10 品牌： 东电化 封装： 0805 1µF 50V +80/ 20% | 类似代替 | Cap Ceramic 1uF 50V Y5V -20% to 80% SMD 0805 85℃ | CL21F105ZBFNNNF和C2012Y5V1H105Z/10的区别 |
| 型号： CL21F105ZAFNNNE 品牌： 三星 封装： 0805 1uF 25V 80 20per | 功能相似 | CL21 系列 0805 1 uF 25 V -20 % +80 % Y5V SMD 多层陶瓷电容 | CL21F105ZBFNNNF和CL21F105ZAFNNNE的区别 |