CBR02C909B5GAC

KEMET Corporation(基美) 电子元器件分类

射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

9 pF ±0.1pF 50V 陶瓷器 C0G，NP0 0201（0603 公制）

得捷:
CAP CER 9PF 50V C0G/NP0 0201

立创商城:
9pF ±0.1pF 50V

e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]

艾睿:
Cap Ceramic 9pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0201 125°C Low ESR Medical T/R

Verical:
Cap Ceramic 9pF 50V C0G 0.1pF Pad SMD 0201 125C Low ESR Medical T/R

CBR02C909B5GAC中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50 V

电容 9 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.60 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.3 mm

封装公制 0603

封装 0201

厚度 0.3 mm

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF，微波，高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CBR02C909B5GAC引脚图与封装图

CBR02C909B5GAC引脚图

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CBR02C909B5GAC	KEMET Corporation 基美	射频电容, C0G / NP0, 9 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0201 [0603公制]	搜索库存