C2012Y5V0J106ZT
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TDK
东电化
被动器件
C2012Y5V0J106ZT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.30 V
电容 10 µF
容差 +80/-20%
电介质特性 Y5V
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -30 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
介质材料 Ceramic Multilayer
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
C2012Y5V0J106ZT引脚图与封装图
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在线购买C2012Y5V0J106ZT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012Y5V0J106ZT | TDK 东电化 | Cap Ceramic 10uF 6.3V Y5V -20% to 80% SMD 0805 85℃ Plastic T/R | 搜索库存 |
替代型号C2012Y5V0J106ZT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012Y5V0J106ZT 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 10µF 6.3V +80/ 20% | 当前型号 | Cap Ceramic 10uF 6.3V Y5V -20% to 80% SMD 0805 85℃ Plastic T/R | 当前型号 |
| 型号： GRM21BF50J106ZE01L 品牌： 村田 封装： 0805 10µF 6.3V +80/ 20% | 功能相似 | MURATA GRM21BF50J106ZE01L 多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 10 µF, +80%, -20%, Y5V, 6.3 V, 0805 [2012 公制] | C2012Y5V0J106ZT和GRM21BF50J106ZE01L的区别 |
| 型号： CC0805ZKY5V5BB106 品牌： 国巨 封装： SMD 10uF 6.3V 80 20per | 功能相似 | 0806 10 uF 6.3 V -20 % 80 % 容差 Y5V SMD 陶瓷电容 | C2012Y5V0J106ZT和CC0805ZKY5V5BB106的区别 |