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C3216C0G1H223JT

C3216C0G1H223JT

数据手册.pdf
TDK 东电化 被动器件
C3216C0G1H223JT中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 22000 pF

容差 ±5 %

电介质特性 C0G/NP0

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

介质材料 Ceramic Multilayer

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

C3216C0G1H223JT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
C3216C0G1H223JT TDK 东电化 Cap Ceramic 0.022uF 50V C0G 5% SMD 1206 125C Paper T/R 搜索库存
替代型号C3216C0G1H223JT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C3216C0G1H223JT

品牌: TDK 东电化

封装: 3216 22nF ±5% 50V C0G/NP0

当前型号

Cap Ceramic 0.022uF 50V C0G 5% SMD 1206 125C Paper T/R

当前型号

型号: GRM3195C1H223JA01D

品牌: 村田

封装: 22nF 50V ±5%

类似代替

MURATA  GRM3195C1H223JA01D  多层陶瓷电容器, 表面贴装, GRM系列, 0.022 µF, ± 5%, C0G / NP0, 50 V, 1206 [3216 公制]

C3216C0G1H223JT和GRM3195C1H223JA01D的区别