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C4532X7R1H475M

C4532X7R1H475M

数据手册.pdf
TDK 东电化 被动器件
C4532X7R1H475M中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

电容 4700000 pF

容差 ±20 %

电介质特性 X7R

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 4532

封装 1812

外形尺寸

长度 4.50 mm

宽度 3.20 mm

高度 2.3 mm

封装公制 4532

封装 1812

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8532240020

C4532X7R1H475M引脚图与封装图
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在线购买C4532X7R1H475M
型号 制造商 描述 购买
C4532X7R1H475M TDK 东电化 Cap Ceramic 4.7uF 50V X7R 20% Pad SMD 1812 125℃ T/R 搜索库存
替代型号C4532X7R1H475M
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C4532X7R1H475M

品牌: TDK 东电化

封装: 1812 4.7µF ±20% 50V X7R

当前型号

Cap Ceramic 4.7uF 50V X7R 20% Pad SMD 1812 125℃ T/R

当前型号

型号: C1812C475M5RACTU

品牌: 基美

封装: 1812 4.7uF 50V 20per

功能相似

多层陶瓷电容器, 表面贴装, 4.7 µF, 50 V, 1812 [4532 公制], ± 20%, X7R, C系列KEMET

C4532X7R1H475M和C1812C475M5RACTU的区别