C2012C0G1H100DT
数据手册.pdf
TDK
东电化
被动器件
C2012C0G1H100DT中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 10 pF
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.6 mm
封装公制 2012
封装 0805
物理参数
介质材料 Ceramic Multilayer
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
C2012C0G1H100DT引脚图与封装图
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在线购买C2012C0G1H100DT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| C2012C0G1H100DT | TDK 东电化 | Cap Ceramic 10pF 50V C0G 0.5pF SMD 0805 125C T/R | 搜索库存 |
替代型号C2012C0G1H100DT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： C2012C0G1H100DT 品牌： TDK 东电化 封装： 2012 10pF 50V | 当前型号 | Cap Ceramic 10pF 50V C0G 0.5pF SMD 0805 125C T/R | 当前型号 |
| 型号： NMC0805NPO100J50TRPF 品牌： NIC 封装： | 类似代替 | Cap Ceramic 10pF 50V C0G 5% SMD 0805 125℃ T/R | C2012C0G1H100DT和NMC0805NPO100J50TRPF的区别 |
| 型号： 08055A100JAT1A 品牌： 艾维克斯 封装： 0805 10pF ±5% 50V C0G/NP0 | 类似代替 | Cap Ceramic 10pF 50V C0G 5% SMD 0805 125℃ Paper T/R | C2012C0G1H100DT和08055A100JAT1A的区别 |
| 型号： CC0805JRNPO9BN100 品牌： 国巨 封装： 0805 10pF 50V 5per | 功能相似 | 0805 10 pF 50 V ±5 % 容差 NP0 表面贴装 陶瓷电容 | C2012C0G1H100DT和CC0805JRNPO9BN100的区别 |