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C2012X5R1A475M

C2012X5R1A475M

数据手册.pdf
TDK 东电化 被动器件
C2012X5R1A475M中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 10.0 V

电容 4.7 µF

容差 ±20 %

电介质特性 X5R

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.00 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.25 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

介质材料 Ceramic Multilayer

工作温度 -55℃ ~ 85℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

C2012X5R1A475M引脚图与封装图
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在线购买C2012X5R1A475M
型号 制造商 描述 购买
C2012X5R1A475M TDK 东电化 Cap Ceramic 4.7uF 10V X5R 20% Pad SMD 0805 85℃ T/R 搜索库存
替代型号C2012X5R1A475M
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: C2012X5R1A475M

品牌: TDK 东电化

封装: 2012 4.7µF ±20% 10V X5R

当前型号

Cap Ceramic 4.7uF 10V X5R 20% Pad SMD 0805 85℃ T/R

当前型号

型号: 0805ZD475MAT2A

品牌: 艾维克斯

封装: 0805 4.7uF 10V 20per

类似代替

AVX  0805ZD475MAT2A  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 4.7 µF, ± 20%, X5R, 10 V, 0805 [2012 公制]

C2012X5R1A475M和0805ZD475MAT2A的区别

型号: C0805C475M8PAC7800

品牌: 基美

封装: 0805 4.7µF 10V ±20%

类似代替

4.7uF475 ±20% 10V 编带

C2012X5R1A475M和C0805C475M8PAC7800的区别