CL21C040CBANNNC
数据手册.pdfSamsung(三星)
被动器件
CL21C040CBANNNC中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 4 PF
容差 ±0.25 pF
电介质特性 C0G/NP0
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.65 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 0.65 mm
物理参数
材质 C0G/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 4000
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CL21C040CBANNNC引脚图与封装图 
CL21C040CBANNNC引脚图
CL21C040CBANNNC封装图
CL21C040CBANNNC封装焊盘图
在线购买CL21C040CBANNNC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CL21C040CBANNNC | Samsung 三星 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 搜索库存 |
替代型号CL21C040CBANNNC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CL21C040CBANNNC 品牌： Samsung 三星 封装： 0805 4pF ±0.25pF 50V C0G/NP0 | 当前型号 | MLCC-多层陶瓷电容器 | 当前型号 |
| 型号： CL21C040CBANNND 品牌： 三星 封装： 0805 4pF 50V ±0.25pF | 完全替代 | CL21系列 0805 4 pF 50 V ±0.25 pF C0G SMD 多层陶瓷电容 | CL21C040CBANNNC和CL21C040CBANNND的区别 |
| 型号： GRM2165C1H4R0CD01D 品牌： 村田 封装： 0805 4pF 0.25pF 50V C0G/NP0 | 类似代替 | MLCC-多层陶瓷电容器 | CL21C040CBANNNC和GRM2165C1H4R0CD01D的区别 |
| 型号： ECJ-2VC1H040C 品牌： 松下 封装： 0805 4pF 50V | 类似代替 | CAP CER 4pF 50V NPO 0805 | CL21C040CBANNNC和ECJ-2VC1H040C的区别 |