锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
CL31B104KDHNNNE

CL31B104KDHNNNE

数据手册.pdf
Samsung(三星) 被动器件

1206 0.1 µF 200 V 10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

±10% 200V 陶瓷器 X7R 1206（3216 公制）


得捷:
CAP CER 0.1UF 200V X7R 1206


立创商城:
100nF ±10% 200V


艾睿:
Cap Ceramic 0.1uF 200V X7R 10% Pad SMD 1206 125°C T/R


安富利:
Cap Ceramic 0.1uF 200V X7R 10% SMD 1206 125°C Embossed T/R


TME:
Capacitor: ceramic; MLCC; 100nF; 200V; X7R; ±10%; SMD; 1206


Verical:
Cap Ceramic 0.1uF 200V X7R 10% Pad SMD 1206 125C T/R


儒卓力:
**KC 100nF 1206 10% 200V X7R **


CL31B104KDHNNNE中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

工作电压 200 V

绝缘电阻 10 GΩ

电容 0.1 µF

容差 ±10 %

电介质特性 X7R

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 200 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

厚度 1.6 mm

物理参数

材质 X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

CL31B104KDHNNNE引脚图与封装图
CL31B104KDHNNNE引脚图

CL31B104KDHNNNE引脚图

CL31B104KDHNNNE封装图

CL31B104KDHNNNE封装图

CL31B104KDHNNNE封装焊盘图

CL31B104KDHNNNE封装焊盘图

在线购买CL31B104KDHNNNE
型号 制造商 描述 购买
CL31B104KDHNNNE Samsung 三星 1206 0.1 µF 200 V 10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 搜索库存
替代型号CL31B104KDHNNNE
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： CL31B104KDHNNNE

品牌： Samsung 三星

封装： 1206 100nF 200V ±10%

当前型号

1206 0.1 µF 200 V 10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容

当前型号

型号： 1206B104K201CT

品牌： 台湾华科

封装： 100nF 200V 10per

类似代替

WALSIN  1206B104K201CT  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 0.1 µF, ± 10%, X7R, 200 V, 1206 [3216 公制]

CL31B104KDHNNNE和1206B104K201CT的区别

型号： C1206J104K2RACAUTO

品牌： 基美

封装： 100nF 200V ±10%

类似代替

KEMET  C1206J104K2RACAUTO  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1206 [3216 公制], 0.1 µF, 200 V, ± 10%, X7R, FO-CAP J Series 新

CL31B104KDHNNNE和C1206J104K2RACAUTO的区别

型号： CL31B104KDHNFNE

品牌： 三星

封装： 1206 100nF ±10% 200V

类似代替

MLCC-多层陶瓷电容器

CL31B104KDHNNNE和CL31B104KDHNFNE的区别