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CY7C1523JV18-300BZXC

CY7C1523JV18-300BZXC

数据手册.pdf

72兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1523JV18-300BZXC


得捷:
DDR SRAM, 4MX18, 0.45NS, CMOS, P


贸泽:
SRAM 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1523JV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1523JV18-300BZXC引脚图与封装图
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CY7C1523JV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 72-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存