锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CY7C1545V18-375BZC

CY7C1545V18-375BZC

数据手册.pdf

72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 2M x 36 Parallel 375MHz 165-FBGA 15x17


得捷:
IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 72M QDRII+, B4, 2.0


CY7C1545V18-375BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1545V18-375BZC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CY7C1545V18-375BZC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1545V18-375BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存