CY7C1270V18-375BZI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 375MHz 165-FBGA 15x17

得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

贸泽:
静态随机存取存储器 36M QDR2+, B2, 2.5

CY7C1270V18-375BZI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1270V18-375BZI引脚图与封装图

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CY7C1270V18-375BZI	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency	搜索库存