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CY7C1413JV18-300BZC

CY7C1413JV18-300BZC

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 15x17


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 2Mx18 QDR II Burst 4 SRAM


CY7C1413JV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

CY7C1413JV18-300BZC引脚图与封装图
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CY7C1413JV18-300BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存