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CY7C1319CV18-250BZC

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数据手册.pdf

18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1319CV18-250BZC


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1319CV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

CY7C1319CV18-250BZC引脚图与封装图
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CY7C1319CV18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR - II SRAM 4字突发架构 18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存