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CY7C1311CV18-250BZC

CY7C1311CV18-250BZC

数据手册.pdf

18 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(2M x 8) 并联 250 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1311CV18-250BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V QDR II 静态随机存取存储器


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 2M x 8 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA / SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 2M x 8 Parallel 250 MHz 165-FBGA 13x15


CY7C1311CV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

CY7C1311CV18-250BZC引脚图与封装图
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CY7C1311CV18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存