锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

CY7C1270V18-375BZC

CY7C1270V18-375BZC

数据手册.pdf

36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 375 MHz 165-FBGA(15x17)


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 36M QDR2+ B2 2.5


CY7C1270V18-375BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

CY7C1270V18-375BZC引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CY7C1270V18-375BZC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1270V18-375BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency 搜索库存