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CDM4-650 TR13

CDM4-650 TR13

数据手册.pdf
Central Semiconductor 分立器件
CDM4-650 TR13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 2.44 Ω

耗散功率 77 W

阈值电压 2 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 463pF @25VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 620mW Ta, 77W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CDM4-650 TR13引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CDM4-650 TR13 Central Semiconductor MOSFET N-Ch 4A PFC FET 650V 3NC 2.44Ω 搜索库存