CDM4-650 TR13
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 2.44 Ω
耗散功率 77 W
阈值电压 2 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 463pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 620mW Ta, 77W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CDM4-650 TR13 | Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 4A PFC FET 650V 3NC 2.44Ω | 搜索库存 |